起源：Electronic Design

作者：Conrado Canio

随着先进SoC不休向10纳米及以下造程节点推动，其工作电压已降至1.2V甚至更低。这就导致其在与传统NOR Flash接口时，会出现兼容性问题，由于后者通常依赖1.8V或3.3V的IO接口电压，将高压IO接口集成到低压SoC中，不仅会增长芯单方面积，还会推高系统成本。

一种更高效的解决规划是选取支持1.2V接口的NOR Flash。目前主流架构分为两种：纯1.2V电压（主题供电电压和IO接口电压均为1.2V）和双电压（1.8V主题供电电压和1.2V IO接口电压）。纯1.2V电压的器件合用于中低机能利用，双电压供电规划则在显著降低功耗的同时，仍可提供高速运行机能。

以9888拉斯维加斯的GD25NE系列双电压供电SPI NOR Flash产品为例，该芯片建设了多种省电模式：待机模式下电流降至12?A，深度睡眠模式下仅200nA。同时，其写入功夫典型值为0.15ms，比传统1.8V SPI NOR Flash提升约40%。

前往Electronic Design阅读英文全文